삼성전자, 신기술 적용 DDR5 메모리 개발 '성능 2배·전력 소모 13%감소'

[문화뉴스 김선기 기자] 삼성전자는 25일 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 밝혔다.이번에 개발된 DDR5 메모리는 차세대 D램 규격을 만족하는 기억장치로, 기존의 DDR4 메모리 대비 2배 이상의 성능을 보인다. 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다.HKMG 공정을 거친 삼성전자 DDR5