인피니언, 부트스트랩 다이오드 내장 650V 하프 브리지 SOI 드라이버 출시 뉴스와이어신상품 0 271 0 2020.01.14 09:00 https://www.newswire.co.kr/newsRead.php?no=899985&sourceType=rss + 36 http://api.newswire.co.kr/rss/theme/101 + 14 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 자사의 SOI(silicon on insulator) 기술 기반 650V 하프 브리지 게이트 드라이버를 EiceDRIVER 제품군에 추가한다고 밝혔다. 새로운 제품은 네거티브 트랜션트 전압 내성이 뛰어나고 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합하였으며 래치업 내성이 뛰어나다. 따라서 MOSFET과 IGBT 기반 인버터 애플리케이션에서 BOM 비용을 줄이면... 0